Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov

Abstracting & Indexing

Journal is indexed in leading academic databases, ensuring global visibility and accessibility of our peer-reviewed research.

• Scopus
• Google Scholar

Subjects & Keywords

Journal’s research areas, covering key disciplines and specialized sub-topics in Engineering and Physics and Astronomy, designed to support cutting-edge academic discovery.

Most Cited Articles

The Most Cited Articles section features the journal's most impactful research, based on citation counts. These articles have been referenced frequently by other researchers, indicating their significant contribution to their respective fields.

• Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка--полупроводник

  Citation: 6

  Authors: М.Ю., И.С., М.С., Ю.И., Б.Р., Е.П., А.О.

• XVII Межгосударственная конференция Термоэлектрики и их применения --- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021 Получение и исследование омических контактов с высокой адгезией к термоэлементам

  Citation: 4

  Authors: М.Ю., А.О., Ю.И., М.С., Е.П., Б.Р., А.А.

• Размерное моделирование синтеза и проводимости коллоидных квантовых точек

  Citation: 4

  Authors: Н.Д., М.В., С.Н.

• Многосекционные термоэлементы, преимущества и проблемы их создания

  Citation: 4

  Authors: М.Ю.

• Получение и свойства мезопористых пленок MoS-=SUB=-2-=/SUB=-

  Citation: 3

  Authors: А.Б., С.Н., П.В., И.В., Д.Н., Р.Р., Е.Д., Б.А., А.Н.

• Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты

  Citation: 3

  Authors: Н.А., А.Е., К.Ф., Е.И.

• Терагерцовое излучение из наноструктур карбида кремния

  Citation: 3

  Authors: Н.Т., С.А., А.В., Л.Е., А.М., В.С.

• Влияние природы подложки на состав пленок CdPbS и механические напряжения на интерфейсе "пленка--подложка"

  Citation: 3

  Authors: Л.Н., А.В., В.Ф., В.И.

• Регистрация терагерцового излучения с помощью наноструктур карбида кремния

  Citation: 2

  Authors: Н.Т., С.А., А.В., Л.Е., A.М., В.С.

• Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si-=SUB=-3-=/SUB=-N-=SUB=-4-=/SUB=-, изготовленных на основе проводящей подложки Si

  Citation: 2

  Authors: С.В., О.Н., И.Н., Д.И., А.Н., А.И., А.И., P., P.